MUN5214DW1T1G

时间:2022-9-27 14:50:00

MUN5214DW1T1G

制造商: onsemi

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

RoHS: 详细信息

配置: Dual

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 10 kOhms

典型电阻器比率: 0.21

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 256 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MUN5214DW1

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

直流电流增益 hFE 最大值: 80

高度: 0.9 mm

长度: 2 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量: 3000

子类别: Transistors

宽度: 1.25 mm

单位重量: 28 mg