发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2022-9-3 10:44:00
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类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop?
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
275 W
开关能量
1.5mJ（开），500μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/172ns
测试条件
400V，50A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
81 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW50N65
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   | ||
650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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