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发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-6-11 9:51:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:周艳丽

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地址:深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座20层2028室

全新原装现货 支持第三方机构验证

品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 40 A

Vds-漏源极击穿电压: 130 V

工作频率: 250 MHz

增益: 15 dB

输出功率: 350 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 200 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: M244

封装: Tray

商标: Advanced Semiconductor, Inc.

配置: Single

Pd-功率耗散: 500 W

产品类型: RF MOSFET Transistors

子类别: MOSFETs

类型: RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压: 4 V

单位重量: 32.095 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

RF Power Transistors HF/VHF/UHF N - Channel MOSFETs

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