品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 40 A
Vds-漏源极击穿电压: 130 V
工作频率: 250 MHz
增益: 15 dB
输出功率: 350 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M244
封装: Tray
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 4 V
单位重量: 32.095 g