2N7002ET1G

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-5-24 9:05:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

2N7002ET1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 310 mA

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 810 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 420 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 3.6 ns

正向跨导 - 最小值: 530 mS

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 1.2 ns

系列: 2N7002E

30000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 4.8 ns

典型接通延迟时间: 1.7 ns

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Small Signal MOSFET Single N??hannel, 60 V, 310 mA, 2.5 Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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60V N-Channel Mosfet

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