TAJE158K004RNJ_TAJE158K004RNJ导读
除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。
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057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
必要的时候可以在R4上面并联加速电容。R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
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TLJT476M010R0600
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。
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