TAJE108K004RNJ_TAJE108K004RNJ导读
在图1我们看到D极和S极之间存在着一个二极管，这个二极管叫寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。在网上查了一番资料才知道，它是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。MOS的寄生二极管怎么来的呢?翻开大学里的模拟电路书里面并没有寄生二极管的介绍。
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TAJB106K016RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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TAJB685M006RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
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至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
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