TAJD106M025RNJ_TAJD106M025RNJ导读
MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。
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TAJE687K004RNJ
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
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TAJE107K025RNJ
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
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t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
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