发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2022-4-29 10:20:00
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.75 V
在25 C的连续集电极电流: 370 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1950 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: IGBT2 Fast
10
子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 61.4 mm
零件号别名: SP000100774 FF30
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   | ||
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f?r hochfrequentes Schalten und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f?r hochfrequentes Schalten | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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