宽工作电压：2.5V至6V
高输出电压精度：±2％
高纹波抑制：68dB f=1kHz，54dB f=10kHz
低待机电流：0.1μA
低压降电压：VOUT=3.3V时为170mV 300mA，VOUT=5.2V时为140mV 300mA
低静态电流：典型值为60μA
低输出噪声：60μVrms VOUT=0.8V
短路电流限制：50mA·过热保护
兼容低ESR陶瓷电容器：用于CIN和COUT的1μF
出色的线路/负载调节
软启动时间：50μs
自动放电电阻：RDS（ON）=60Ω
AP2127K-ADJTRG1
时间：2022-1-15 16:05:00
AP2127K-ADJTRG1
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300mA HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司 | |
2025-8-13 10:03:00
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