晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB4227
