制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PTAB-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.3 mOhms， 7.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V， + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V， 1 V
Qg-栅极电荷: 3.9 nC， 8.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
开发套件: CSD87381PEVM-603
下降时间: 3 ns， 2.9 ns
正向跨导 - 最小值: 40 S， 89 S
高度: 0.48 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 19.3 ns， 16.3 ns
系列: CSD87381P
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10.6 ns， 16.8 ns
典型接通延迟时间: 6.7 ns， 7.9 ns
宽度: 2.5 mm
单位重量: 33.200 mg
