IRLZ44NPBF封装 / 箱体:TO-220-3

发布企业:深圳市航润创能电子集团有限公司时间:2021-9-17 21:04:00

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IRLZ44NPBF

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 41 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 48 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon / IR

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IRLZ44NPBF SP001568772

单位重量: 2 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HEXFET Power MOSFET

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