制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDFN-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 13.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 26.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 61 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 38.2 ns
正向跨导 - 最小值: 42 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 97.4 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 44.5 ns
典型接通延迟时间: 11.5 ns
