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型号；BSC016N06NS 原装现货大量现货库存

类别：FET - 单

描述：MOSF N CH 60V 30A TDSON-8

系列：OptiMOS

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫欧 @ 100A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 95μA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5200pF @ 30V

功率_最大：139W

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
BSC016N06NS	New OptiMOS??40V and 60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC016N06NS	OptiMOSTM Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC016N06NS_13	OptiMOSTM Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC016N06NSSC	OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC016N06NST	OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
NTMFD016N06C	MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 m, 32 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMFS016N06C	MOSFET- Power, Single N-Channel, SO-8FL 60 V, 15.6 m, 33 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMYS016N06C	MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 16 m, 33 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMYS016N06CTWG	MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 16 m, 33 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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2024-5-11 8:18:00