GS66504B-MR

时间:2021-8-4 9:42:00

GS66504B-MR

製造商: GaN Systems

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: GaN-on-Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: DIE

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V

Id - C連續漏極電流: 15 A

Rds On - 漏-源電阻: 130 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 7 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V

Qg - 閘極充電: 3.3 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : -

通道模式: Enhancement

公司名稱: GaNPX

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: GaN Systems

配置: Single

開發套件: GS665MB-EVB, GS-EVB-ACDC-300W-ON

濕度敏感: Yes

產品類型: MOSFET

系列: GS665xx

原廠包裝數量: 250

子類別: MOSFETs

晶體管類型: E-HEMT Power Transistor

零件號別名: GS66504B-E01-MR

每件重量: 14.594 g

2025-8-16 11:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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