NCE8205B_NCE60P65K导读
台积电是只有代工，没有自己品牌IC产品的。三星和英特尔都有自己品牌的IC产品，但也为其它企业代工。世界上也有一些IC企业，在特定的行业里市场占有率高，而IC工厂的制程工艺并不高，成本也不高，这些企业是不用给别家代工的，自己生产自己设计的IC就够。
它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。
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NCE2301AF
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
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NCEP035N85D
MOS管3306产品主要参数漏源极电压：60V 栅源电压：±25V 连续漏电流：80A/60A 脉冲漏电流：300A 雪崩电流：21.5A 雪崩能量：462.25MJ。
NCE4618SP NCE3420 NCE2007N NCE2004NE NCE2008E 。
NCE6080K产品特点 VDS=60V，ID =80A RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V 超低RDSON高密度电池设计 稳定性好，均匀性好，EAS高 良好的散热包装。
一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计，超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装，散热效果好。
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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
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