TPS74801DRCR

时间:2021-7-12 11:59:00

TPS74801DRCR

TPS74801DRCR_TPS61178RNWR导读

。随着制程工艺的成熟与进步,以及市场需求的增加,越来越多的公司采用20nm以下的先进工艺设计、生产IC和器件,这使得越来越多的IDM和代工厂淘汰生产效率低下的晶圆厂。

TI BAW振荡器是一种电子振荡器电路,它利用压电效应,通过震动的微型声波谐振器(BAW)的机械谐振产生稳定的电子信号。这种精1确的高频信号可为电子系统提供时钟和计时参考。

TPS74801DRCR_TPS61178RNWR

DRV8801PWPR 驱动IC

?BAW filter的最基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度为2um),声波在压电薄膜里震荡形成驻波(standing wave)。

TMP112AIDRLR TS3A225ERTER TPS2546RTER TMP112AIDRLT TPS82130SILR 。

SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。

TPS563209DDCR TPS563209DDCT TS3USB221RSER LM339APWR MAX3232IPWR 。

TPS74801DRCR_TPS61178RNWR

MM3529-2700A14RB18

BQ24311DSGR TIC10024QDCPRQ1 TL331IDBVR TL331IDBVT TPS63070RNMT 。

TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。

TPS630701RNMT TPS630702RNMR TPS54218RTER TPS92692PWPR TPS56C230RJER 。

。为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。而震荡结构的另一面,压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。

TPS74801DRCR_TPS61178RNWR

设计工程师可利用此MCU完成更简单、更小巧的设计,同时还能提升性能、降低成本。TI这次发布的新产品中包括业内首创的无晶体无线微处理器(MCU),它在封装内集成了一个TI BAW谐振器。由于设计人员无需筛选、校准和组装外部石英晶体,从而加快了产品上市的时间。。

物理上,波主要分为两种,一种是电磁波(electromagnetic wave),这种波不需要任何媒介,而是通过由最初的带电粒子产生的电场和磁场的周期性震荡来传播,所以在真空中也可以传播。无线电波(radio wave),微波(microwave),可见光,X射线,伽马射线都属于电磁波。

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