制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V， + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 125 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 137 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-P2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 40 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: SP000396390 IPP8P3P4L4XK IPP80P03P4L04AKSA1
单位重量: 2 g
