SI7117DN-T1-GE3百分百原装进口现货

时间:2021-1-9 14:51:00

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制造商 VISHAY/威世

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 : PowerPAK-1212-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 2.14 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 12 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 12.5 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

系列: SI7

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

零件名: SI7117DN-GE3

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P-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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2025-8-12 23:01:00
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