快速软恢复反并联发射极控制二极管
高击穿电压1200V，提高可靠性
短路耐受时间10μs
最佳的参数分配
耐用性高，温度稳定
低门电荷
低电磁干扰
VCESAT正温度系数，易于并联切换
符合JESD-022的应用要求
无铅电镀；符合RoHS
IKW25N120T2应用
?变频器
?不间断电源
IKW25N120T2技术参数资料
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度范围: - 40℃~+ 175℃
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 5.3 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
单位重量: 38 g
