原装IPP075N15N3G

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原装IPP075N15N3G

数据列表 IPx072，75N15N3 G

标准包装 500

包装管件

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS??

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 93nC 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF 75V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
IPP075N15N3	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP075N15N3G	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPP075N15N3G	3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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IPP075N15N3-G	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPP075N15N3GXKSA1	OptiMOS 3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
AMIB075N15N3	N-Channel 150-V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power
IIPP075N15N3	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA075N15N3	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA075N15N3G	Material Content Data Sheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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2025-8-2 12:00:00