商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 110A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 8mΩ @ 62A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 200W
类型 N沟道
发布企业:深圳市纳艾斯科技有限公司时间:2020-10-21 9:50:00
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漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 110A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 8mΩ @ 62A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 200W
类型 N沟道