NJVMJD32CT4G

製造商: ON Semiconductor

產品類型: Darlington 電晶體

RoHS: 詳細資料

配置: Single

晶體管極性: PNP

集電極-發射極最大電壓VCEO: 100 V

發射機-基極電壓VEBO: 5 V

集電極-基極電壓VCBO: 100 V

集電極最大截止電流: 50 uA

Pd - 功率消耗 : 15 W

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: DPAK

最低工作溫度: - 65 C

最高工作溫度: + 150 C

系列: MJD32C

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

品牌: ON Semiconductor

連續集電極電流: 3 A

直流集電極/增益 hfe 最小值: 25

增益帶寬積 fT: 3 MHz

產品類型: Darlington Transistors

原廠包裝數量: 2500

子類別: Transistors

零件號別名: NJVMJD32CT4G-VF01

每件重量: 260.400 mg