晶体管类型：8 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装：18-SOIC
GD25Q32CSIG
FBNL72A41K3BAAWP-AF
EM78P156ELMJ-G
OP07CDR
UC3843BD1013TR
ADG5409BRUZ
CY8C4014SXI-420T
TPS73033DBVR
ADS1255IDBR
IRF3205PBF
PC817X1CSP9
CD4051BM96
74HC138D
ULN2803ADWR
AD629ARZ
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NST3904DP6T5G
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HI3520DRQCV200
LM324DR
TAJC106K025RNJ
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