包装 剪切带（CT）
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 785-1010-1
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1450pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3L
说明
AO3415使用先进的沟槽技术来提供
出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作
电压低至1.8V。 该设备适合用作
负载开关的应用。
