商品目录 SRAM存储器
存储器构架(格式) SRAM
存储器接口类型 Parallel
存储器容量 4Mb (256K x 16)
工作电压 2.5V ~ 3.6V
存储器类型 Volatile
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:4M(256K x 16)
速度:55ns
接口:并联
电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:44-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
供应商器件封装:44-TSOP II
发布企业:深圳市纳艾斯科技有限公司时间:2020-8-14 10:48:00
企业:深圳市纳艾斯科技有限公司
联系人:林小姐
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地址:深圳市福田区华强北路赛格大厦5803A
商品目录 SRAM存储器
存储器构架(格式) SRAM
存储器接口类型 Parallel
存储器容量 4Mb (256K x 16)
工作电压 2.5V ~ 3.6V
存储器类型 Volatile
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:4M(256K x 16)
速度:55ns
接口:并联
电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:44-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
供应商器件封装:44-TSOP II
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司 | |||
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司 | |||
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司 | |||
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司 | |||
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司 |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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0755-8279777813692179527张小姐期待你的来电!! | |||
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