代理CSD23202W10进口原装现货

时间:2020-8-4 9:42:00

品牌:TI 生产批号:2020+ 封装:DSBGA-4

数据列表 CSD23202W10;_

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 NexFET?

其它名称 296-40000-2

CSD23202W10-ND

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 53 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大值) -6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 512pF @ 6V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 4-DSBGA(1x1)

封装/外壳 4-UFBGA,DSBGA

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

12-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

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2025-8-17 18:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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