数据列表 IRFH5302PBF
标准包装 4000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET?
其它名称 IRFH5302TRPBF-ND
IRFH5302TRPBFTR
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.35V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 76nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4400pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），100W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
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