BC807-40LT1G技术参数 BC807-40LT1G批号：05+ 封装：SOT-23

发布企业：瑞航达科技(深圳)有限公司时间：2020-6-5 16:35:00

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BC807-40LT1G技术参数 BC807-40LT1G批号：05+ 封装：SOT-23

技术参数

品牌：ON/安森美

型号：BC807-40LT1G

批号：05+

封装：SOT-23

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V@250μA

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

供应商器件封装：SOT-23-3L

栅源电压 Vgss：±12V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）

漏源极电压（Vdss）：30V

技术：MOSFET（金属氧化物）

FET类型： P沟道

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)

规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安装类型：表面贴装(SMT)

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：44毫欧@4.3A，10V

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1200pF@15V

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 12.2nC@4.5V

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
BC807-40LT1G	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
BC807-40LT1G	General Purpose Transistors(PNP Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
BC807-40LT1	General Purpose Transistors(PNP Silicon)	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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LBC807-40LT1G	General Purpose Transistors PNP Silicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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2025-9-23 18:01:00