SM36.TCT SEMTECH TVS Diode， SM Series， Bidirectional， 36 V， 60 V， SOT-23， 3 Pins
SM36.TCT产品详细规格
规格书 SM36.TCT datasheet 规格书
SM05 - SM36
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
电压 - 反向隔离（典型值） 36V
- 击穿电压 40V
功率（瓦特） 300W
极化 2 Channel Array - Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
封装 Tape & Reel (TR)
电压 - 钳位（最大） @ IPP 60V
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 SOT-23-3
电压 - 击穿（最小值） 40V
单向通道数 2
电压 - 反向隔离（标准值） 36V (Max)
应用范围 General Purpose
工作温度 -55°C ~ 125°C
电容@频率 45pF @ 1MHz
标准包装 3，000
电源线保护 No
功率 - 峰值脉冲 300W
类型 Zener
电流 - 峰值脉冲（ 10/1000μS ） 4A (8/20μs)
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
其他名称 SM36CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
associated RE901
631954
香港鑫锐保证原装进口现货
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鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、SGM2036-3.3YUDH4G/TR等等
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香港鑫锐保证原装进口现货
DRAM市场受中美贸易战、英特尔中央处理器(CPU)缺货比预期严重等负面因素干扰，市况冷飕飕。渠道商透露，本季合约价跌幅高达一成，已较原预期高，近期下游降低备货，甚至反手出清库存，导致卖压加重，明年合约价首季跌幅恐持续扩大，预估价格跌势恐至明年第2季中旬才会趋缓。
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外资摩根士丹利也看淡存储器后市，认为近期存储器报价快速走跌，导致厂商库存开始过度堆积，特别是DRAM情况最严重，随第1季淡季到来，厂商要短期消化这么多库存的挑战极大，并暗示厂商将面临“辛苦的一年”，明年能不能“有感复苏”存在很大疑虑。
本周二(25日)，韩国媒体Korea Herald报导，有鉴于全球半导体市况不佳，三星为避免存储器价格快速滑落，正考虑放慢明年存储器增产速度。
消息人士透露，三星设备解决方案部门上周举行半年度策略会议，由副董座金奇南(Kim Ki-nam)亲自主持，讨论明年存储器预期供过于求的应对之道，会中谈到可能调整DRAM与NAND快闪存储器增产步速。
据报导，三星计划将明年DRAM位元成长率(Bit growth)降低至两成以下，NAND快闪存储器则是压在三成以下。对照三星上个月公布第三季财报时，DRAM位元成长率预估年增20%、NAND快闪存储器预估年增40%左右。
位元成长率以位元容量估计芯片供给增加的量，用以协助芯片厂估计产能。在位元成长率较低的状况下，三星在增产方面的投资也会转趋保守。
Borneobulletin.com报导，由于全球半导体景气展望负面，三星已调降第四季财测，明年展望也蒙上阴影。分析师预期2019上半年存储器需求下滑，价格将走跌，直到下半年才可能回稳。
此外，有报道称，存储器光环褪色，韩国厂商选定影像传感器为下一代的主力业务，要抢攻自驾车市场，开辟新商机。
韩媒BusinessKorea报导，三星电子在存储器之后，选择影像传感器为主力业务。三星重整掌管CMOS影像感测的部门，成立专门的“传感器事务小组”，全力投入研发。影像传感器有如自驾车的眼睛，可以实时识别路况和周围环境。IC Insights估计，影像传感器市场将从今年的137亿美元，2022年成长至190亿美元。
三星最近抢下特斯拉订单，将供应影像传感器给特斯拉电动车。尽管合约金额不算太多，但是此一合作让三星更有希望打入其他车厂供应链。由于传感器需求大增，三星已经把韩国华城厂的11号DRAM产线，部分转为生产影像传感器。
不只如此，韩国另一存储器大厂SK海力士，也抢攻影像传感器，目标此一业务的营收冲上9亿美元。另外，LG电子也看好此一市场，成立自驾导航项目小组，积极聘僱人才进行研发。
