TP1002拓微220W高性能电流模式PWM/PFMAC-DC控制器-TP10022
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20W 高性能电流模式 PWM/PFM AC-DC 控制器-TP1002
概述
TP1002 是一款高性能的 AC/DC 电源控制器，可驱动低成本 1300 系列 NPN 三极管，采用脉宽调制（PWM）和 PFM 自适应模式。芯片内置革新性低功耗、快启动结构，解决了目前大功率系统中上电启动慢的矛盾，同时内置各种使用故障和生产故障保护电路，可靠性极高。
TP1002 搭配 TP1550（或 431）、光耦可以精确的控制恒压/恒流(CV/CC)，即可实现系统稳定工作，大简化中低功率 CV/CC 电源转换器的设计，免调试，方便生产，工作故障率极低，能够同时提供极为严格的输出电压和电流调节精度。
TP1002 控制器成本低、效率高，无负载功耗极小/启动速度快：20W 电路典型值为
50mW/170ms@220Vac。适用于输出功率 0.5W-20W 的 CV/CC 电源转换器和适配器。
建议 0.5W-12W 使用SOT23-5封装，8W-20W 使用SOP8封装。
特性
·电流型 PWM/PFM 副边反馈控制技术，纹波小，效率高。
·★利用外置开关管完成加速启动，启动极快，启动电阻功耗低。
·内置软启动电路
·恒流 100mA 驱动低成本的 BJT 开关管
·内置限流电阻
·内置过压保护、欠压保护及过温保护
·内置各端口故障保护限流采样 CS 端口的悬空、短路及固定电平故障保护
·输出短路保护
应用
机顶盒、路由器电源；手机或无绳电话、PDA、MID 等使用的充电器；适配器；白光
LED 驱动器等；
家用电器电源转换器等。
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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香港鑫锐保证原装进口现货
9月18日，据外媒报道，台积电已经正式宣布启动2nm工艺的研发，并将在位于中国台湾新竹的南方科技园建立2nm工厂。按照台积电的说法，2nm工艺预计需要研发4年时间，最快要到2024年才能够进入批量生产。而在2024年之前，5nm和3nm工艺将会成为过渡产品，同时台积电还表示，他们正在为5nm工艺量产做准备，预计将于2020年开始批量投产，有消息称苹果将成为台积电5nm工艺的首批客户。对于3nm，台积电则表示将于2022年批量投产。
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这样一来，台积电便成为了世界上第一家宣布启动2nm工艺研发的公司。与此同时，另一厢三星，其基于EUV(极紫外光刻)技术的7nm LPP工艺才刚刚批量生产，前一阵还爆出了工艺良率差导致客户的5G芯片全部报废，尽管三星及时出来辟谣了，不过好景不长。随后三星在8月发布的新旗舰Note10，其搭载使用了7nm工艺的Exynos 9825又被网友扒出能效比还不如自家上一代使用8nm工艺的Exynos 9820。
在台积电和三星的较量中，从7nm开始，台积电似乎就已经将最大的对手三星远远抛在身后了。尽管台积电有着“摩尔定律的完美执行者”之称，不过，4年后批量投产2nm工艺还是着实让编者有些惊讶，毕竟摩尔定律的提出者英特尔，还在10nm工艺中苦苦挣扎，直到最近才有采用10nm工艺的产品上市。
其实早在制程工艺走到10nm时，有关半导体工艺已达物理极限的说法就开始在业内被广泛提及。其中仅量子隧穿效应和寄生电容问题就难以解决，前者是当晶体管尺寸缩小到原子级别后，电子可能会随意穿过壁垒导致漏电，从而使得芯片功耗增加;后者则是在线路过密过细的情况下，出现寄生电容干扰的问题，导致功耗增加。这种说法在7nm制程诞生时更是普遍，毕竟就连英特尔都在这上面栽了跟头，英伟达CEO黄仁勋更是公开表示摩尔定律已失效。
那么台积电真的有这样的能力，能够将摩尔定律“死守到底”吗?事实上，单纯从制程工艺的先进性来看，英特尔的10nm甚至还要比台积电7nm要强。英特尔10nm制程晶体管密度达到了100.8MTr/mm2，而台积电7nm制程晶体管密度仅为96.5MTr/mm2。显然，台积电与英特尔用来命名制程工艺的标准并不相同。
在9月18日开幕的科技创新论坛会议上，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示摩尔定律还会继续存在，随着晶体管密度更好，成本效益也会更高，受益的不只是逻辑芯片，内存、闪存芯片也会从摩尔定律中受益。有趣的是，接着黄汉森还提到：“现在描述工艺水平的XXnm说法已经不科学了，因为它与晶体管栅极已经不是绝对相关了，制程节点已经变成了一种营销游戏，与科技本身的特性没什么关系了。”
由于现在的栅极宽度定义无法准确描述7nm、5nm这样的半导体工艺核心，黄汉森建议采用新的指标来衡量半导体工艺的进展，未来工艺可以微缩到0.1nm级别，相当于氢原子大小，现在的制程定义不能再反应真正的科技水平了，氢原子级别的微缩才是创新，而且很多创新都是不可预见的。
虽然台积电在制程工艺命名上耍了一点“小心思”，不过从市场表现来看，各大厂商以及消费者普遍都对台积电代工的芯片表示满意。但要想延续摩尔定律，保持住自己的市场优势，台积电除了死磕制程工艺外，还需要从新材料、封装技术等方面入手。比如石墨烯等新型复合半导体材料，美国劳伦斯伯克利国家实验室此前就成功用纳米碳管制成了1nm晶体管;封装技术方面，目前台积电已经推出的CoWoS、bumping、InFO等后端3D封装产品和前道3D封装工艺SOIC和全新的多晶圆堆叠等多种封装方式，也将会是未来芯片制造的新方向。(责编：Andy)
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