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UPC8112TB中文资料

厂家型号

UPC8112TB

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5

功能描述

SILICON MMIC 1st FREQUENCY DOWN-CONVERTER FOR CELLULAR/CORDLESS TELEPHONE

上下转换器 3V Freq Dwn Convertr

数据手册

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生产厂商

NEC

UPC8112TB数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The µPC8112TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as 1st frequency down-converter for cellular/cordless telephone receiver stage. This IC consists of mixer and local amplifier. The µPC8112TB features high impedance output of open collector. Similar ICs of the µPC2757TB and µPC2758TB feature low impedance output of emitter follower. These TB suffix ICs which are smaller package than conventional T suffix ICs contribute to reduce your system size.

FEATURES

• Excellent RF performance : IIP3 = –7 dBm@fRFin = 1.9 GHz (reference)

IM3 = –88 dBc@PRFin = –38 dBm, 1.9 GHz (reference)

• Similar conversion gain to µPC2757 and lower noise figure than µPC2758

• Minimized carrier leakage : RFIo = –80 dB@fRFin = 900 MHz (reference)

RFIo = –55 dB@fRFin = 1.9 GHz (reference)

• High linearity : PO (sat) = –2.5 dBm TYP.@fRFin = 900 MHz

PO (sat) = –3 dBm TYP.@fRFin = 1.9 GHz

• Low current consumption : ICC = 8.5 mA TYP.

• Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V

• High-density surface mounting : 6-pin super minimold package

APPLICATIONS

• 1.5 GHz to 1.9 GHz cellular/cordless telephone (PHS, DECT, PDC1.5G and so on)

• 800 MHz to 900 MHz cellular telephone (PDC800M and so on)

UPC8112TB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC8112TB

  • 功能描述

    上下转换器 3V Freq Dwn Convertr

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    Down Converters

  • 射频

    52 MHz to 78 MHz

  • 中频

    300 MHz

  • 工作电源电压

    1.8 V, 3.3 V

  • 工作电源电流

    120 mA

  • 最大功率耗散

    1 W

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PQFP-128

更新时间:2025-10-13 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14