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RD3.0E中文资料

厂家型号

RD3.0E

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95.2Kbytes

页面数量

12

功能描述

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

SILICON ZENER DIODES

数据手册

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生产厂商

Renesas Electronics America

简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

LOGO

RD3.0E数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance under the specific suffix (B, B1 to B7).

FEATURES

• DHD (Double Heatsink Diode) Construction

• Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)

• DO-35 Glass sealed package

RD3.0E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RD3.0E

  • 制造商

    EIC

  • 制造商全称

    EIC discrete Semiconductors

  • 功能描述

    SILICON ZENER DIODES

更新时间:2025-5-18 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社

中文资料: 17168条

Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社(Renesas Electronics Corporation)在美国的分支机构,专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年,是全球领先的半导体制造商,致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案,广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力,致力于不断推动产品性能和能效的提升,以满足客户在智能化和数字化时代的需求。