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精确

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DESCRIPTION

The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

•Super low on-state resistance

RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A)

RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A)

•Low input capacitance

Ciss = 5000 pF TYP.

NP50P06KDG-E2-AY供应商...

更新时间：2025-10-17 11:04:00

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