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NP100P04PDG-E1-AY中文资料
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DESCRIPTION
The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
• Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A)
RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
• High current rating: ID(DC) = m100 A
NP100P04PDG-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP100P04PDG-E1-AY
- 功能描述
MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-263 |
1485 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-263 |
8000 |
深圳现货,原装正品 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
8113 |
原装正品现货假一罚十 |
|||
RENESAS瑞萨 |
2023+ |
TO-263 |
3320 |
正品,原装现货 |
|||
RENESAS瑞萨 |
24+ |
TO-263 |
9448 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
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|||
RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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80000 |
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- TC1303B-FP2EMFTR
- TC1303B-FQ2EMFTR
- TC1313-CL1EUNTR
- XC6103H620
- XC6105H020
- XC6117H020
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社
Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社(Renesas Electronics Corporation)在美国的分支机构,专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年,是全球领先的半导体制造商,致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案,广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力,致力于不断推动产品性能和能效的提升,以满足客户在智能化和数字化时代的需求。