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NES1821B-30中文资料

厂家型号

NES1821B-30

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46.19Kbytes

页面数量

8

功能描述

30W L-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

数据手册

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简称

NEC瑞萨

生产厂商

Renesas Electronics America

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

LOGO

NES1821B-30数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NES1821B-30 is power GaAs FET which provides high output power and high gain in the 1.8-2.1 GHz band.

Internal input matching circuits are designed to optimize performance. The device has a 0.8 mm gate length for increased linear gain. To reduce thermal resistance, the device uses PHS (Plated Heat Sink) technology.

The device incorporates WSi (tungsten silicide) gate for high reliability and SiO2 glassivation for surface stability.

FEATURES

• High output power

• High gain

• High power added efficiency

• Internally matched input

• High reliability

更新时间:2025-6-23 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
NEC
24+
220
现货供应
NEC
23+
27000
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原厂封装
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面议
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Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社

中文资料: 17175条

Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社(Renesas Electronics Corporation)在美国的分支机构,专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年,是全球领先的半导体制造商,致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案,广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力,致力于不断推动产品性能和能效的提升,以满足客户在智能化和数字化时代的需求。