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NE960R275中文资料

NE960R275
厂家型号

NE960R275
文件大小

29.43Kbytes
页面数量

3页
功能描述

0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET

射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET
数据手册

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生产厂商

NEC

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NE960R275产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE960R275

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

NE960R275供应商...

更新时间：2025-12-4 17:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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