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NE76118-T1中文资料

厂家型号

NE76118-T1

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8

功能描述

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET

数据手册

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生产厂商

NEC

NE76118-T1数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package.

FEATURES

• Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz

• High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz

• Gate width : Wg = 400 Pm

• 4 pins super mini mold

• Tape & reel packaging only available

NE76118-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE76118-T1

  • 功能描述

    MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-30 14:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
25+
SOT-343
37673
NEC全新特价NE76118-T1即刻询购立享优惠#长期有货
NEC
24+
SOT-343
33500
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24+
SOT343
2500
NEC
23+
SOT-343
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24+
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