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2SK3642中文资料

厂家型号

2SK3642

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功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

NEC

2SK3642数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The 2SK3642 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)

RDS(on)2 = 16 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

• Low Ciss: Ciss = 1100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

更新时间:2025-12-3 9:04:00
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