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2SJ607-Z中文资料

厂家型号

2SJ607-Z

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8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

NEC

2SJ607-Z数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The 2SJ607 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −42 A)

RDS(on)2 = 16 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −42 A)

• Low input capacitance:

Ciss = 7500 pF TYP. (VDS = −10 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

2SJ607-Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ607-Z

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2026-2-3 9:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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