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NCE6602N中文资料

厂家型号

NCE6602N

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功能描述

NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

NCEPOWER

NCE6602N数据手册规格书PDF详情

Description

The NCE6602N uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for

use as a Battery protection or in other Switching application.

General Features

● N-Channel

● VDS = 30V,ID = 3.5A

RDS(ON) <58mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=4.5V

● P-Channel

VDS = -30V,ID = -2.7A

RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) < 150mΩ @ VGS=-4.5V

● Low On-Resistance

● Low Input Capacitance

● Fast Switching Speed

● Low Input/Output Leakage

更新时间:2026-3-7 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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