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NXH40B120MNQ1SNG_V01

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

The NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V 40 m SiC MOSFETs • Low R

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-18 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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22+
N/A
4680
只做原装正品
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ON/安森美
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Q1 3?Phase TNPC Case 180AS Pre
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