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NVMFS5C670NLT1G

Single N?묬hannel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NVMFS5C670NLT1G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Single N-Channel Field Effect Transistor

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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