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NVMFS5C645NWFT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel, DFN5/DFNW5 60 V, 4.6 m, 92 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C645NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-17 23:01:00
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