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NVMFD5C478NLT1G

Power MOSFET 40 V, 14.5 m, 29 A, Dual N?묬hannel

Features • Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C478NLWF − Wettable Flanks Product • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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