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MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 8.1 m, 49 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C466NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 m, 49 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C466NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 8.1 m, 49 A, Dual N?묬hannel

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-4 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
DFN85x6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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ONSEMI/安森美
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