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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NVD6414ANT4G | N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 m Features • Low RDS(on) • High Current Capability • 100 Avalanche Tested • AEC Q101 Qualified − NVD6414AN • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NVD6414ANT4G | N-Channel Power MOSFET 文件：107.64 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 m廓 Features • Low RDS(on) • High Current Capability • 100 Avalanche Tested • AEC Q101 Qualified − NVD6414AN • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 m Features • Low RDS(on) • High Current Capability • 100 Avalanche Tested • AEC Q101 Qualified − NVD6414AN • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：107.64 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NVD6414ANT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NVD6414ANT4G
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
25+23+ |
TO252 |
75532 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ON/安森美 |
新年份 |
TO-252 |
69850 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
DPAK-3 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
41025 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
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2021-9-15NVMFS5113PLT1G 原装现货
NVMFS5113PLT1G 可做含税，支持实单
2021-9-15
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