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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NVD5890NT4G | Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NVD5890NT4G | Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK 文件：116.93 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | |
NVD5890NT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NVD5890NT4G
- 功能描述
MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
新年份 |
TO-252 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
AP |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
25+ |
DPAK-3 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2021-9-15
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