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NVD5890NLT4G

Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK

文件:100.68 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5890NLT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5890NLT4G

  • 功能描述

    MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-5 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON/安森美
22+
DPAK-3
100742
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON/安森美
25+
TO252
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ON/安森美
24+
TO252
27950
郑重承诺只做原装进口现货
ON
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
ON
23+
TO-252
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
ON
24+
TO252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON/安森美
20+
TO-252
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ON/安森美
25+
TO-252
54648
百分百原装现货 实单必成

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