NVD5865NLT4G价格

参考价格:¥1.9137

型号:NVD5865NLT4G 品牌:ON 备注:这里有NVD5865NLT4G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NVD5865NLT4G批发/采购报价,NVD5865NLT4G行情走势销售排行榜,NVD5865NLT4G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NVD5865NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.09 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5865NLT4G

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:115.31 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single N?묬hannel

文件:115.31 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

60V N -Channel MOSFET

Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON)

UMW

友台半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel Power MOSFET

文件:108.19 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m廓

文件:275.43 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.17 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5865NLT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5865NLT4G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-3 17:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
ON
23+
TO-252
10000
正规渠道,只有原装!
ON
DPAK-3
1000
正品原装--自家现货-实单可谈
ON
24+
TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON/安森美
24+
TO-252
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON
1650+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
23+
TO-252
6000
原装正品,支持实单

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