NVD5865NLT4G价格

参考价格:¥1.9137

型号:NVD5865NLT4G 品牌:ON 备注:这里有NVD5865NLT4G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NVD5865NLT4G批发/采购报价,NVD5865NLT4G行情走势销售排行榜,NVD5865NLT4G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NVD5865NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.09 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5865NLT4G

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:115.31 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single N?묬hannel

文件:115.31 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

60V N -Channel MOSFET

Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel Power MOSFET

文件:108.19 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m廓

文件:275.43 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.17 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5865NLT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5865NLT4G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 15:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
DPAK-3
30617
一级代理全新原装热卖
ON
20+
TO-252
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
VB
2022+
TO-252
12500
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A
ON
DPAK-3
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正品原装--自家现货-实单可谈
ON/安森美
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TO-252
9600
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ON/安森美
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TO-252
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21+
DPAK
10000
原装现货假一罚十
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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